第二百四十四章 制裁？那就搞X光刻机！ (第1/4页)

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【FBI突然出动，抓住了潜伏其内十年的卧底。】

【FBI抓住一名卧底，疑似华国人？】

【近日FBI抓住一名卧底，在庭审前日晚畏罪**】

【卧底**？还是另有原因！】

……

一条条相关的新闻，开始争抢起了各种头条。

这样的新闻，不得不引起人们的注意，卧底？

还有卧底畏罪**？

对于这样的消息，每个看到的人都感到震惊。

华国国内，在网络上讨论的人也很多，都不知道这个卧底是否真的是他们的人。

毕竟这些都只是从国外传出的消息，没有人知道详情。

而相比较这個**上的事情，对于半导体界人来说，却更加关注另外一条消息。

国外的制裁技术又加上了几条，一条，准激光发射器。

这个东西，是光刻机光源中十分必要的一个部件。

其主要就是利用二氧化碳激光器发射出极高能的激光，输出超过30kW平均功率的激光束，脉冲峰值最高可达几兆瓦，然后如此高能的激光，击打在不断从上方滴下的锡珠上，然后使其发射出波长为13.5nm的极紫外光。

而想要在二氧化碳激光器上实现如此高的功率，普通的技术完全行不通，而华国当前的二氧化碳激光器在功率上并不能达到这种要求，而需要知道的是，这个功率，最终影响的就是EUV光源的实际功率。

如果EUV光源没有足够大的功率，对他们的影响，十分之大。

此外，还有其他几种EUV光源中较为重要的传感器也遭到了制裁。

这样一来，他们再想要研发光刻机，就必须先在这些方面实现突破，否则光源搞不出来，全部都白搭。

一时之间，华国半导体界，又掀起了一片唱衰的声音。

要是继续一个一个地搞下去，他们得花多少时间？

到时候国外说不定早就找到了能够突破现有光刻机的技术了。

而除了这些和光刻机技术有关的东西之外，国外又在原材料之一的光掩膜版上面进行了制裁，光掩膜版是光刻流程中同样十分重要的东西，只有通过掩膜版，极紫外光才能实现直接光刻。

而现在主流掩膜版中，都是以石英作为材料的，而这次主要制裁项目，就是这种石英材料，而这种石英材料的生产工艺难度十分高，国内一直都需要进口国外的。